Prenons un fabricant, par exemple Hitachi, voici un graphique qui situe l'évolution: http://cn.renesas.com/fmwk.jsp?cnt=ag_and_flash_memory_root.jsp&fp=/products/memory/ag_and_flash_memory/&site=i
et prenons la puce HN29V102414: la mémoire est organisée en blocs ou secteurs, à la façon d'un disque dur, avec trois bits supplémentaires par secteur pour la détection d'erreur et la correction d'erreurs par le remplacement de blocs défectueux par une réserve de blocs libres (de 1,8% du total). Sur base de cette technologie hyper sophistiquée, hitachi annonce 300.000 cycles d'écritures/lectures (page 4 et 42 du datasheet http://documentation.renesas.com/eng/products/memory/e2031265_hn29v102414.pdf
Ils utilisent la technique du Wear Leveling, pour ne pas toujours écrire dans la même case (
SanDisk donne un papier vachement optimiste sur http://www.sandisk.com/pdf/oem/WPaperWearLevelv1.0.pdf
Tandis que chez kingston http://www.kingston.com/products/DMTechGuide.pdf
on peut lire que l'inventeur de la flash memory, Toshiba, annonçait 10.000 cycles d'écritures , qu'il estimaient amplement suffisant pour les applications classiques, puisqu'en considérant un lecteur MP3 USB qu'on reprogrammerait une fois par jour complètement, il tiendrait 27 ans.
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