[Upgrade PC] Type de RAM à rajouter [Fermé]

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Kuching
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Bonjour,

Voici le rapport Everest:

--------[ SPD ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------

[ DIMM1: Samsung M3 78T3354BZ0-CCC ]

Propriétés du module mémoire:
Nom du module Samsung M3 78T3354BZ0-CCC
Numéro de série 030FEA55h
Date de fabrication Semaine 20 / 2005
Taille du module 256 Mo (1 rank, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR2 SDRAM
Vitesse de mémoire DDR2-400 (200 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 1.8
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us)

Performances mémoire:
@ 200 MHz 5.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 200 MHz 4.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)

Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Non géré
Redundant Row Address Non géré

Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Samsung
Information sur le produit http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm

[ DIMM3: Samsung M3 78T3354BZ0-CCC ]

Propriétés du module mémoire:
Nom du module Samsung M3 78T3354BZ0-CCC
Numéro de série 030FEBA5h
Date de fabrication Semaine 20 / 2005
Taille du module 256 Mo (1 rank, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR2 SDRAM
Vitesse de mémoire DDR2-400 (200 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 1.8
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us)

Performances mémoire:
@ 200 MHz 5.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 200 MHz 4.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)

Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Non géré
Redundant Row Address Non géré

Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Samsung
Information sur le produit http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm

--------[ Carte mère ]--------------------------------------------------------------------------------------------------

Propriétés de la carte mère:
Identifiant de la carte mère <DMI>
Nom de la carte mère Dell Dimension 5000

Propriétés du bus principal:
Type du bus Intel NetBurst
Largeur du bus 64 bits
Horloge réelle 200 MHz (QDR)
Horloge effective 800 MHz
Bande passante 6400 Mo/s

Propriétés du bus mémoire:
Type du bus Dual DDR2 SDRAM
Largeur du bus 128 bits
Horloge réelle 200 MHz (DDR)
Horloge effective 400 MHz
Bande passante 6400 Mo/s

Propriétés du bus chipset:
Type du bus Intel Direct Media Interface

Fabricant de la carte mère:
Nom de l'entreprise Dell Computer Corporation
Information sur le produit http://www.dell.com
Télécharger le BIOS http://support.dell.com

Mes questions:

Sachant que je souhaite monter à un minimun de 1 Go (WinXP + Edition photo + Edition video)

1/ Ai-je intérêt à remplacer cette mémoire par une plus rapide?
2/ Que dois-je acheter? Je ne retrouve pas ce modèle (3200U) sur Internet.

Merci,
A+  K.

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Up!

Pour info j'ai essayé de la DDR 3200U aujourd'hui, le détrompeur n'est pas le même et donc ça ne rentre pas dans le socket.

Merci!